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이건희 선대 삼성그룹 회장과 이재용 삼성전자 회장. (왼쪽) 10나노급 5세대 D램 칩
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삼성전자, 10나노급 6세대 D램 수율 확보 ‘위기’… 경쟁사 맹추격 속 미래 메모리 시장 주도권 ‘흔들’

이건희 선대 삼성그룹 회장과 이재용 삼성전자 회장. (왼쪽) 10나노급 5세대 D램 칩
이건희 선대 삼성그룹 회장과 이재용 삼성전자 회장. (왼쪽) 10나노급 5세대 D램 칩. 사진=삼성전자 / 그래픽=뉴스필드

대한민국 반도체의 상징인 삼성전자가 차세대 메모리인 10나노급 6세대(1c) D램의 수율(양품 비율) 확보에 난항을 겪으면서, 미래 메모리 시장의 주도권이 송두리째 흔들릴 수 있다는 위기감이 고조되고 있다.

이미 양산 체제를 구축한 SK하이닉스와 시제품 출하에 성공한 마이크론에 밀려 ‘기술 초격차’는커녕 추격자 신세로 전락할 수 있다는 우려가 현실화되는 모양새다.

■ “설계 문제없다”는 삼성의 강변… ‘시간과의 싸움’에서 패착 되나

2일 삼성전자는 1c D램의 수율 개선을 위한 전면 재설계 설(說)에 대해 “설계상의 문제는 전혀 없다”고 뉴스필드에 공식 부인했다.

하지만 업계의 시각은 냉담하다. 경쟁사들이 이미 양산 공정을 최적화하는 단계에서 삼성전자의 ‘사실무근’ 입장은 자칫 근본적인 원인 진단을 늦춰 치명적인 양산 지연을 초래할 수 있기 때문이다.

수율 안정화 실패는 생산 비용 상승과 고객사 이탈로 이어져 메모리 시장의 입지를 위태롭게 만드는 직격탄이 된다.

삼성전자는 지난 3월 주주총회에서 전영현 DS부문장을 사내이사로 신임하는 등 기술 경쟁력 회복을 위한 인적 쇄신에 나섰다.

32조 원이 넘는 영업이익을 바탕으로 대규모 투자를 승인받았지만, 하이-NA EUV 등 차세대 장비 도입에 따른 막대한 비용 부담과 기술적 불확실성이 가중되면서 실질적인 성과로 이어질지는 불투명한 상황이다.

■ 마이크론·SK하이닉스의 약진… ‘EUV 우위’마저 흔들리는 삼성

미국 마이크론은 지난 2월 26일 1γ(1c) 공정 기반의 DDR5 시제품을 전격 출하하며 기술력을 과시했다.

마이크론은 EUV 노광 장비를 적극 도입해 전력 효율을 20% 개선하고 저장 용량을 30% 향상하는 데 성공했다.

이미 1c D램 양산성을 확보한 SK하이닉스 역시 7세대 고대역폭 메모리(HBM4E)에 이 기술을 적용하겠다는 로드맵을 발표하며 삼성과의 격차를 벌리고 있다.

이건희 선대회장 시절 ‘기술 혁신’으로 세계 1위를 수성했던 삼성전자가 이재용 회장 체제에서 경쟁사의 거센 추격에 고전하는 현실은 반도체 산업의 경쟁 구도가 재편되고 있음을 시사한다.

업계 관계자는 “삼성전자가 과거의 영광에 안주하지 않고 수율 문제를 해결할 획기적인 돌파구를 찾지 못한다면, 메모리 시장의 왕좌를 내주는 역사적 전환점을 맞이할 수도 있다”고 지적했다.

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